La mémoire non volatile FRAM (FeRAM) est connue pour sa résistance exceptionnelle à l’usure. Cela a ouvert la voie aux équipements industriels et à l’industrie aérospatiale, où la fiabilité du fonctionnement à long terme est valorisée par-dessus tout. La société japonaise Fujitsu a réussi à améliorer encore la durabilité de la FRAM propriétaire, affirmant créer des puces avec une garantie de 100 trillions de cycles de réécriture.
Outre son énorme durée de vie, la mémoire électrique segmentée se distingue également par sa grande vitesse d’accès, bien plus rapide que la mémoire flash classique. Cette qualité, associée à une résistance accrue à l’usure, permet à la FRAM de remplacer la SRAM avec l’ajout d’une mémoire non volatile. La non-volatilité rend le matériel plus simple et moins cher, car il n’est plus nécessaire de disposer de systèmes d’alimentation redondants pour stocker les données intermédiaires. Enfin, la non-volatilité est synonyme de consommation réduite, au moins pour les opérations de régénération dans la SRAM – un facteur important en ces temps d’agenda « vert ».
La vitesse d’accès de la nouvelle FRAM de Fujitsu est d’au moins 25 ns en mode page avec un flux continu de demandes. L’augmentation des performances est inextricablement liée à l’exigence d’une résistance accrue à l’usure et Fujitsu tient l’équilibre.
Pour permettre à la nouvelle mémoire FRAM de remplacer les puces SRAM sans avoir à retravailler le PCB ni à complexifier la conception du circuit, les puces FRAM sont proposées dans un boîtier standard FBGA 48 broches et un boîtier standard TSOP 44 broches. Par rapport aux produits FRAM précédents de Fujitsu, les courants d’écriture ont été réduits de 10 % (jusqu’à 18 mA) et les courants de veille ont été réduits de 50 % (jusqu’à 150 µA). FRAM est disponible chez Fujitsu depuis un peu plus de 20 ans et n’a cessé de s’améliorer dans ce domaine.
Mais qu’est-ce qui ne va pas avec FRAM si c’est si bon ? Pourquoi avons-nous une mémoire flash et non ferroélectrique ? La réponse est simple : FRAM est très, très mal adapté. En raison d’un certain nombre de caractéristiques physiques de la couche ferroélectrique dans les puces, la surface de la cellule FRAM reste non seulement grande mais inacceptable pour produire des micropuces non volatiles de grande capacité. La nouvelle FRAM de Fujitsu, en particulier, a une capacité de 8 Mbit. Dans ce contexte, tous les principaux avantages de FRAM fondent comme neige au soleil. Mais pour les applications spéciales, aucune alternative à FRAM n’existe et n’existera de sitôt. On ne peut qu’espérer des percées dans la recherche.